Als MOSFET habe ich den IRLZ44N von Infineon gewählt. Dieser ist ein sogenannter N-Kanal MOSFET. Das ist deshalb wichtig, weil N-Kanal MOSFETs auf diejenige Seite des Verbrauchers angeschlossen werden, die in Richtung Masse (= Ground / GND) zeigt. Dies trifft bei unserem Aufbau zu, da der MOSFET zwischen LED-Streifen und GND geschaltet wird. Weiterhin ist der IRLZ44N ein sogenannter „Logic Level“ MOSFET. Das bedeutet, dass er bereits bei einer Spannung von ca. U = 2,5 V (s. Datenblatt) zwischen Gate und Source maximal leitend ist. Den MOSFET mit den Pins Gate (G), Drain (D) und Source (S) seht ihr rechts in der Abbildung. Der Widerstand R1 in der Schaltung dient der Strombegrenzung. Das ist deshalb wichtig, weil zwischen Gate und Source eine sogenannte parasitäre Kapazität existiert. Dies könnt ihr euch wie einen kleinen Kondenastor zwischen Gate und Source vorstellen, wie im Bild rechts dargestellt. Diese parasitäre Kapazität C_GS würde ohne den Widerstand R1 beim Schalten des MOSFETs in sehr kurzer Zeit aufgeladen werden, was zu einem hohen Stromfluss und somit möglicherweise zu einer Überlastung vom OUT Pin des Sensormoduls führen könnte. Der Widerstand R2 ist ein Pull-Down Widerstand. Er stellt sicher, dass der MOSFET bei einem LOW des Sensormoduls auch sicher mit Masse verbunden ist. Würden wir den R2 weglassen, könnte es bei einem LOW des OUT-Signales sein, dass kein definiertes Potential am Gate des MOSFET anliegt und wir nicht sicherstellen können, dass der MOSFET sperrt.